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MRF899

更新时间： 2024-09-24 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 209K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF899 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
Is Samacsys：N其他特性：WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
外壳连接：EMITTER最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：28 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：230 W
最小功率增益 (Gp)：8 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF899 数据手册

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by MRF899/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for 26 Volt UHF large–signal, common emitter, Class AB linear  
amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating  
in the range 800–960 MHz.  
•
Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics  
Output Power = 150 Watts (PEP)  
Minimum Gain = 8.0 dB @ 900 MHz, Class AB  
Minimum Efficiency = 35% @ 900 MHz, 150 Watts (PEP)  
Maximum Intermodulation Distortion –28 dBc @ 150 Watts (PEP)  
150 W, 900 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Parameters from 800  
to 960 MHz  
•
•
Silicon Nitride Passivated  
100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 5:1 VSWR  
@ 26 Vdc, and Rated Output Power  
•
•
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal  
Migration  
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
CASE 375A–01, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
28  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
60  
CES  
EBO  
V
4.0  
25  
Collector–Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
230  
1.33  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.75  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, I = 0)  
V
28  
60  
4.0  
—
37  
85  
4.9  
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, V  
= 0)  
V
C
BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CE  
= 30 Vdc, V  
= 0)  
I
mAdc  
BE  
CES  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I  
= 1.0 Adc, V  
CE  
= 5.0 Vdc)  
h
30  
—
75  
75  
120  
—
—
CE  
FE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance (V  
CB  
= 26 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz) (1)  
C
pF  
E
ob  
(1) For information only. This part is collector matched.  
(continued)  
REV 7  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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MRF899 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MS1578 MICROSEMI

功能相似

 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-960MHz CELLULAR BASE STATION
CBSL150 ASI

功能相似

 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
CBSL100 ASI

功能相似

 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		The MRF89XA is a single chip, multi-channelFSK/OOK transceiver capable of operating in the
MRF89XAM8A MICROCHIP

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 		868 MHz Ultra-Low Power
MRF89XAM8A-I MICROCHIP

获取价格

 		Ultra Low-Power, Integrated ISM Band Sub-GHz Transceiver
MRF89XAM8A-I/RM MICROCHIP

获取价格

 		DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, DMA12, MODULE-12
MRF89XAM8AT-I/RM MICROCHIP

获取价格

 		868 MHz Ultra-Low Power
MRF89XAM9A MICROCHIP

获取价格

 		MRF89XAM9A is a 915MHz radio transceiver module. The MRF89XAM9A has an integrated PCB ante
MRF89XAM9A_12 MICROCHIP

获取价格

 		915 MHz Ultra Low-Power Sub-GHz Transceiver Module
MRF89XAM9A-I/RM MICROCHIP

获取价格

 		DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, DMA12, MODULE-12
MRF89XAM9AT-I/RM MICROCHIP

获取价格

 		DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, DMA12, MODULE-12
MRF89XAT-I/MQ MICROCHIP

获取价格

 		LINE TRANSCEIVER, QCC32, TQFN-32

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