MRF752

更新时间： 2024-11-11 21:55:39

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	47K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF752 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	最大集电极电流 (IC)：	1.2 A
基于收集器的最大容量：	35 pF	集电极-发射极最大电压：	13 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF752 数据手册

MRF752

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280" 4L PILL

The ASI MRF752 is Designed for

UHF Large Signal Amplifier Application

from 407 to 512 MHz, and 5.0 to 10 V.

FEATURES INCLUDE:

• High Power Gain

• Infinite VSWR

MAXIMUM RATINGS

1.2 A

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

13 V

15 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +150 °C

11.7 °C/W

1 = COLLECTOR 2 = BASE

3 & 4 = EMITTER

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_E= 3.0 mA

V_CB= 9.0 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

1.0

---

I_C= 100 mA

P_out= 2.5 W

h_FE

V_CB= 7.5 V

V_CC= 7.5 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

C_ob

8.0

9.0

G_PE

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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