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MRF464

更新时间： 2024-09-22 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 107K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF464 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.1
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
基于收集器的最大容量：200 pF集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：O-CRFM-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：250 W最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF464 数据手册

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by MRF464/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for applications as a high–power linear amplifier from 2.0  
to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment.  
•
Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —  
Output Power = 80 W (PEP)  
Minimum Gain = 15 dB  
80 W (PEP), 30 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Efficiency = 40%  
Intermodulation Distortion = –32 dB (Max)  
MATCHING PROCEDURE  
In the push–pull circuit configuration it is preferred that the transistors are  
used as matched pairs to obtain optimum performance.  
The matching procedure used by Motorola consists of measuring h  
at the  
FE  
data sheet conditions and color coding the device to predetermined h ranges  
FE  
within the normal h  
FE  
limits. A color dot is added to the marking on top of the  
cap. Any two devices with the same color dot can be paired together to form a  
matched set of units.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
10  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.4  
Watts  
W/°C  
C
CASE 211–11, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.7  
Unit  
°C/W  
In. Lb.  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Stud Torque (1)  
R
θJC  
—
8.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
35  
65  
4.0  
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 28 Vdc, V = 0, T = +55°C)  
I
mAdc  
CES  
CE BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 0.5 Adc, V  
C CE  
h
FE  
10  
—
—
= 5.0 Vdc)  
NOTE:  
1. Case 145A–10 — For Repeated Assembly Use 11 In. Lb.  
(continued)  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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