MRF479

更新时间： 2024-11-20 22:51:07

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF479 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	155 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF479 数据手册

MRF479

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER)

DESCRIPTION:

The ASI MRF479 is Designed for

12.5 V FM Large-Signal Amplifier

Applications to 50 MHz.

MAXIMUM RATINGS

2.0 A ^(CONT)

18 V

I_C

V_CE

V_CB

P_DISS

T_STG

θ_JC

36 V

30 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

5.85 ^OC/W

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

TAB = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_E= 5.0 mA

V_CES= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

4.0

5.0

---

I_C= 500 mA

120

h_FE

V_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

P_out= 15 W (PEP)

155

C_ob

G_PE

d₃

V_CC= 12.5 V

f₁= 30 MHz

I_CQ= 20 mA

f₂= 30.001 MHz

-30

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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