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MR4A08BMA35R

更新时间： 2024-09-14 02:48:55

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EVERSPIN		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	839K
描述
2M x 8 MRAM Memory

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MR4A08BMA35R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.69
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
长度：	10 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
混合内存类型：	N/A	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.35 mm
最大待机电流：	0.014 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

MR4A08BMA35R 数据手册

MR4A08B

2M x 8 MRAM Memory

FEATURES

• +3.3 Volt power supply

• Fast 35 ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Unlimited read & write endurance

• Data always non-volatile for >20-years at temperature

• RoHS-compliant small footprint BGA and TSOP2 packages

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in systems

for simpler, more eﬃcient designs

• Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

INTRODUCTION

The MR4A08B is a 16,777,216-bit magnetoresistive random access

memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

The MR4A08B oﬀers SRAM compatible 35ns read/write timing with

unlimited endurance. Data is always non-volatile for greater than

20-years. Data is automatically protected on power loss by low-

voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation. The

RoHS

MR4A08B is the ideal memory solution for applications that must permanently store and retrieve critical

data and programs quickly.

The MR4A08B is available in small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP type-II package or

10 mm x 10 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package with 0.75 mm ball centers. These packages are com-

patible with similar low-power SRAM products and other non-volatile RAM products.

The MR4A08B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is of-

fered with commercial (0 to +70 °C) and industrial (-40 to +85 °C) operating temperature range options.

CONTENTS

1. DEVICE PIN ASSIGNMENT......................................................................... 2

2. ELECTRICAL SPECIFICATIONS................................................................. 4

3. TIMING SPECIFICATIONS.......................................................................... 7

4. ORDERING INFORMATION....................................................................... 11

5. MECHANICAL DRAWING.......................................................................... 12

6. REVISION HISTORY...................................................................................... 14

How to Reach Us.......................................................................................... 15

MR4A08B Rev. 8.7 3/2018

12 3 4 5 6 7...15

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MR4A08BMA35R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR4A08BCMA35R	EVERSPIN	完全替代	2M x 8 MRAM Memory

与MR4A08BMA35R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR4A08BYS35	EVERSPIN	获取价格	2M x 8 MRAM Memory
MR4A08BYS35R	EVERSPIN	获取价格	2M x 8 MRAM Memory
MR4A16ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4A16ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4A16ATS35C	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR4A16AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4A16AVYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4A16AYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4A16B	EVERSPIN	获取价格	1M x 16 MRAM
MR4A16BCMA35	EVERSPIN	获取价格	1M x 16 MRAM

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