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MR4A16BYS35

更新时间： 2024-01-13 08:56:21

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EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	909K
描述
1M x 16 MRAM

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MR4A16BYS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	1.24	Samacsys Description：	NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	N/A	功能数量：	1
端子数量：	54	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.014 A	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MR4A16BYS35 数据手册

MR4A16B

1M x 16 MRAM

FEATURES

• +3.3 Volt power supply

• Fast 35 ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Unlimited read & write endurance

• Data always non-volatile for >20 years at temperature

• RoHS-compliant small footprint BGA and TSOP2 package

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in systems

for simpler, more eﬃcient designs

• Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

INTRODUCTION

The MR4A16B is a 16,777,216-bit magnetoresistive random access memory

(MRAM) device organized as 1,048,576 words of 16 bits. The MR4A16B oﬀers

SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. Data

is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automatically pro-

RoHS

tected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation. To

simplify fault tolerant design, the MR4A16B includes internal single bit error correction code with 7 ECC

parity bits for every 64 data bits. The MR4A16B is the ideal memory solution for applications that must

permanently store and retrieve critical data and programs quickly.

The MR4A16B is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 54-pin thin small

outline package (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and

other nonvolatile RAM products.

The MR4A16B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is

oﬀered with commercial temperature (0 to +70 °C), and industrial temperature (-40 to +85 °C) operating

temperature options.

CONTENTS

1. DEVICE PIN ASSIGNMENT.........................................................................

2. ELECTRICAL SPECIFICATIONS.................................................................

3. TIMING SPECIFICATIONS..........................................................................

4. ORDERING INFORMATION.......................................................................

5. MECHANICAL DRAWING..........................................................................

6. REVISION HISTORY......................................................................................

How to Reach Us...................................................................................... ..........

MR4A16B Rev. 11.7 3/2018

12 3 4 5 6 7...16

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与MR4A16BYS35相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MR4A16BYS35R	EVERSPIN	1M x 16 MRAM	获取价格
MR4A5	EDAL	SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES	获取价格
MR4A8AVYS35	NXP	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44	获取价格
MR4A8AYS35	NXP	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44	获取价格
MR4B5	EDAL	SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES	获取价格
MR4C5	EDAL	SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES	获取价格

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