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MR4S08ATS35C

更新时间： 2024-01-04 00:32:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	243K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44

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MR4S08ATS35C 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.67	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MR4S08ATS35C 数据手册

Document Number: MR2A16A

Rev. 6, 11/2007

Freescale Semiconductor

Data Sheet

256K x 16-Bit 3.3-V

Asynchronous

Magnetoresistive RAM

MR2A16A

44-TSOP

Case 924A-02

Introduction

Features

•

Single 3.3-V power supply

The MR2A16A is a 4,194,304-bit magnetoresistive

random access memory (MRAM) device

Commercial temperature range (0°C to

70°C), Industrial temperature range (-40°C

to 85°C) and Extended temperature range

(-40°C to 105°C)

organized as 262,144 words of 16 bits. The

MR2A16A is equipped with chip enable (E), write

enable (W), and output enable (G) pins, allowing

for significant system design flexibility without bus

contention. Because the MR2A16A has separate

byte-enable controls (LB and UB), individual bytes

can be written and read.

•

Symmetrical high-speed read and write with

fast access time (35 ns)

Flexible data bus control — 8 bit or 16 bit

access

MRAM is a nonvolatile memory technology that

protects data in the event of power loss and does

not require periodic refreshing. The MR2A16A is

the ideal memory solution for applications that

must permanently store and retrieve critical data

quickly.

Equal address and chip-enable access

times

Automatic data protection with low-voltage

inhibit circuitry to prevent writes on power

loss

•

All inputs and outputs are

The MR2A16A is available in a 400-mil, 44-lead

plastic small-outline TSOP type-II package with an

industry-standard center power and ground SRAM

pinout.

transistor-transistor logic (TTL) compatible

•

Fully static operation

Full nonvolatile operation with 20 years

minimum data retention

The MR2A16A is available in Commercial (0°C to

70°C), Industrial (-40°C to 85°C) and Extended

(-40°C to 105°C) ambient temperature ranges.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR4S08AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4S08AVYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4S08AVYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR4S08AYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR4S08AYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4S16ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4S16ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR4S16ATS35C	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR4S16AVTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
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