是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 1.25 | 最长访问时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 16 |
混合内存类型: | N/A | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.014 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MR4A16BYS35R | EVERSPIN |
类似代替 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A16BYS35 | EVERSPIN |
类似代替 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A16BCYS35 | EVERSPIN |
功能相似 |
1M x 16 MRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MR4A16BMA35 | EVERSPIN |
获取价格 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A16BMA35R | EVERSPIN |
获取价格 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A16BYS35 | EVERSPIN |
获取价格 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A16BYS35R | EVERSPIN |
获取价格 |
1M x 16 MRAM | |
MR4A5 | EDAL |
获取价格 |
SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES | |
MR4A8AVYS35 | NXP |
获取价格 |
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44 | |
MR4A8AYS35 | NXP |
获取价格 |
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44 | |
MR4B5 | EDAL |
获取价格 |
SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES | |
MR4C5 | EDAL |
获取价格 |
SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES | |
MR4D5 | EDAL |
获取价格 |
SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES |