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MPSW42

更新时间: 2024-11-07 20:14:07
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 492K
描述
TRANSISTOR 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226, BIP General Purpose Small Signal

MPSW42 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.22
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-226JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

MPSW42 数据手册

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