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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSW45ARLRE
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MPSW45ARLRE

更新时间： 2024-11-09 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 231K
描述
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSW45ARLRE 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.42
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：4000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

MPSW45ARLRE 数据手册

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by MPSW45/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 3  
BASE  
2
*Motorola Preferred Device  
EMITTER 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol MPSW45 MPSW45A  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
40  
50  
12  
1.0  
50  
60  
12  
1.0  
1
CES  
CBO  
EBO  
2
3
V
V
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
MPSW45  
MPSW45A  
40  
50  
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
V
Vdc  
MPSW45  
MPSW45A  
50  
60  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
12  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 30 Vdc, I = 0)  
MPSW45  
MPSW45A  
—
—
100  
100  
E
= 40 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
I
—
100  
nAdc  
EBO  
EB  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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与MPSW45ARLRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW45ARLRM MOTOROLA

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW45ARLRM ONSEMI

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 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW45ARLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSW45AZL1 ONSEMI

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 		One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45AZL1 MOTOROLA

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW45AZL1 ROCHESTER

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN
MPSW45AZL1G ONSEMI

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 		One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45AZL1G ROCHESTER

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN
MPSW45G ONSEMI

获取价格

 		One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45G ROCHESTER

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 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN

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