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MPSW51

更新时间： 2024-09-16 22:21:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
ne Watt High Current Transistors

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MPSW51 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.25最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-226AEJESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

MPSW51 数据手册

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by MPSW51/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage MPSW51  
MPSW51A  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–30  
–40  
Vdc  
1
2
3
Collector–Base Voltage  
MPSW51  
–40  
–50  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
MPSW51A  
Emitter–Base Voltage  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–1000  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSW51  
MPSW51A  
–30  
–40  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPSW51  
MPSW51A  
–40  
–50  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
–5.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 Vdc, I = 0)  
MPSW51  
MPSW51A  
—
—
–0.1  
–0.1  
E
= –40 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
–0.1  
µAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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MPSW51 替代型号

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