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MPSW10

更新时间： 2024-09-16 22:26:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 158K
描述
One Watt High Voltage Transistor

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MPSW10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：45 MHzVCEsat-Max：0.75 V
Base Number Matches：1

MPSW10 数据手册

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by MPSW10/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
300  
300  
6.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
300  
300  
6.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 200 Vdc, I = 0)  
I
0.2  
0.1  
µAdc  
µAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 6.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW10RL MOTOROLA

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 		500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		暂无描述
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