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MPSW14RLRE PDF预览

MPSW14RLRE

更新时间： 2024-11-09 19:26:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 141K
描述
1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN

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MPSW14RLRE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.49
最大集电极电流 (IC)：1 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：20000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
Base Number Matches：1

MPSW14RLRE 数据手册

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ON Semiconductort  
MPSW13  
MPSW14  
One Watt Darlington  
Transistors  
NPN Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
30  
1
2
3
10  
Collector Current — Continuous  
I
C
1.0  
CASE 29–10, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
COLLECTOR 3  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
BASE  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
JC  
R
q
EMITTER 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
30  
—
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CES  
(I = 100 µAdc, V = 0)  
C
BE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
EB  
C
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
906  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
MPSW13/D  
123

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与MPSW14RLRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW14RLRF MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSW14RLRM ONSEMI

获取价格

 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW14ZL1 ONSEMI

获取价格

 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW3725 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Transistor
MPSW3725D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
MPSW3725D27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226,
MPSW3725J18Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226,

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