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MPSH81_D26Z

更新时间： 2024-10-30 15:46:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	479K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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MPSH81_D26Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.85 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	600 MHz	Base Number Matches：	1

MPSH81_D26Z 数据手册

MPSH81

MMBTH81

TO-92

SOT-23

Mark: 3D

PNP RF Transistor

This device is designed for general RF amplifier and mixer

applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA

to 30 mA range. Sourced from Process 75.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

MPSH81

*MMBTH81

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

350

2.8

225

1.8

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Case

125

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

R_θ

C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7...11

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MPSH81_D26Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPSH81	FAIRCHILD	类似代替	PNP RF Transistor
MPSH34	FAIRCHILD	类似代替	NPN General Purpose Amplifier

与MPSH81_D26Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSH81_D75Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MPSH81C	ALLEGRO	获取价格	Transistor,
MPSH81D26Z	FAIRCHILD	获取价格	VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH81D75Z	FAIRCHILD	获取价格	VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH81J05Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MPSH81J18Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH81-J22Z	TI	获取价格	Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSH81-J25Z	TI	获取价格	Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSH81-J61Z	TI	获取价格	Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSH81RL	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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