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MPSA94

更新时间: 2024-09-08 22:51:11
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美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 627K
描述
PNP Silicon High Voltage Transistor 625mW

MPSA94 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.3Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MPSA94 数据手册

 浏览型号MPSA94的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MPSA94  
Features  
l Through Hole Package  
l 150oC Junction Temperature  
PNP Silicon High  
Voltage Transistor  
625mW  
Pin Configuration  
Bottom View  
C
B
E
TO-92  
A
E
Mechanical Data  
l Case: TO-92, Molded Plastic  
l Marking: A94  
B
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
C
Charateristic  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Symbol Value Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
-400  
-400  
-5.0  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
D
-200  
mA  
mW  
625  
5.0  
1.5  
12  
o
Pd  
Pd  
Power Dissipation@TA=25 C  
Power Dissipation@TC=25oC  
mW/oC  
W
mW/oC  
G
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient Air  
DIMENSIONS  
oC/W  
R
200  
JA  
INCHES  
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
NOTE  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
4.45  
4.46  
12.7  
0.41  
3.43  
2.42  
Thermal Resistance, Junction to  
Case  
Operating & Storage Temperature T, TSTG -55~150 oC  
oC/W  
R
JC  
83.3  
E
G
j
www.mccsemi.com  

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