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MPSA94A

更新时间： 2024-09-09 10:48:47

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描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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MPSA94A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	480 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPSA94A 数据手册

SEMICONDUCTOR

MPSA94A

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

High Breakdown Voltage.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1.00

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-480

UNIT

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.55 MAX

2.30

-480

0.45 MAX

1.00

-6

Collector Current

-300

1. EMITTER

2. BASE

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

625

3. COLLECTOR

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

TO-92

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut off Current

SYMBOL

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)CES

V_(BR)EBO

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_C=-100 A, I_E=0

-480

I_C=-1mA, I_B=0

-480

I_C=-100 A, I_B=0

-480

I_E=-10 A, I_C=0

-6.0

V_CB=-400V, I_E=0

V_CE=-480V, I_B=0

V_EB=-4V, I_C=0

-100

-1

I_CES

Collector Cut off Current

I_EBO

Emitter Cutoff Current

-100

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CE=-10V, I_C=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-50mA

V_CE=-10V, I_C=-100mA

I_C=-1mA, I_B=-0.1mA

I_C=-20mA, I_B=-2mA

I_C=-50mA, I_B=-5mA

I_C=-10mA, I_B=-1mA

300

h_FE

DC Current Gain

V_CE(sat)

-0.35

-0.5

-0.75

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

V_BE(sat)

*Pulse Test : Pulse Width 300 S, Duty Cycle 2%

2003. 12. 9

Revision No : 0

1/2

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