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MPSA43G PDF预览

MPSA43G

更新时间： 2024-11-04 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 高压小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
小信号高压 NPN

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MPSA43G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz

MPSA43G 数据手册

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by MPSA42/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
MPSA42 MPSA43  
Unit  
Vdc  
CASE 29–11, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
300  
300  
6.0  
200  
200  
6.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
°C/mW  
°C/mW  
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSA42  
MPSA43  
300  
200  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPSA42  
MPSA43  
300  
200  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
6.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 200 Vdc, I = 0)  
MPSA42  
MPSA43  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 160 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
µAdc  
EBO  
(V  
EB  
(V  
EB  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
MPSA42  
MPSA43  
—
—
0.1  
0.1  
C
= 4.0 Vdc, I = 0)  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1998  
1234

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MPSA43G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6517BU ONSEMI

类似代替

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2N6517TA ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA43G-AB3-R UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43G-T92-B UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43G-T92-K UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43K DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MPSA43L-AB3-R UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43L-T92-B UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43L-T92-K UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43M1 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MPSA43M1TA ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA43M1TC ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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