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2N6517BU

更新时间： 2024-01-27 15:51:16

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安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	242K
描述
500 mA High Voltage Bipolar Junction Transistors

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数据手册

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2N6517BU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6517BU 数据手册

NPN Epitaxial Silicon

Transistor

2N6517

Features

• High Voltage Transistor

www.onsemi.com

• Collector Dissipation: PC(max) = 625 mW

• Complement to 2N6520

• Suffix “−C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)

Symbol

Parameter

Value

Unit

CBO

Collector−Base Voltage

2N6517

350

400

2N6517C

TO−92 3 4.825x4.76

TO−92 3 4.83x4.76

LEADFORMED

CASE 135AR

Collector−Emitter Voltage

2N6517

CEO

EBO

CASE 135AN

350

400

2N6517C

Emitter−Base Voltage

Collector Current

500

MARKING DIAGRAM

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

A/2N

6517

YWW

150

STG

−55 ~ 150

°C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1: Emitter

2: Base

3: Collector

= Assembly Code

= Device Code

= Date Code

2N6517/2N6517C

YWW

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

2N6517BU

2N6517TA

2N6517CTA

TO−92 3

(Pb−Free)

10000 /

Bulk Bag

TO−92 3

(Pb−Free)

2000 /

Fan−Fold

TO−92 3

2000 /

(Pb−Free)

Fan−Fold

Publication Order Number:

July, 2021 − Rev. 3

2N6517/D

12 3 4 5 6 7

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