5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6517C
2N6517C PDF预览

2N6517C

更新时间： 2024-02-29 01:13:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

阅读下载

获取价格

2N6517C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.06
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

2N6517C 数据手册

 浏览型号2N6517C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6517C的Datasheet PDF文件第3页 
2N6517  
High Voltage Transistor  
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
=350V  
CEO  
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
C
Complement to 2N6520  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
350  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
350  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
• Refer to 2N6515 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
350  
350  
6
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =1mA, I =0  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
BV  
BV  
I =100µA, I =0  
C E  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=250V, I =0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=5V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
I =1mA, V =10V  
20  
30  
30  
20  
15  
FE  
C
CE  
I =10mA, V =10V  
C
CE  
I =30mA, V =10V  
200  
200  
C
CE  
I =50mA, V =10V  
C
CE  
I =100mA, V =10V  
C
CE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =1mA  
0.3  
0.35  
0.5  
1
V
V
V
V
CE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
I =30mA, I =3mA  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
I =10mA, I =1mA  
0.75  
0.85  
0.9  
V
V
V
BE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
I =30mA, I =3mA  
C
B
C
Output Capacitance  
V
=20V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
f
* Current Gain Bandwidth Product  
I =10mA, V =20V,  
40  
200  
MHz  
T
C
CE  
f=20MHz  
V
(on)  
Base Emitter On Voltage  
I =100mA, V =10V  
2
V
BE  
C
CE  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

下载PDF

与2N6517C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6517CBU FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

获取价格
2N6517CTA FAIRCHILD FAIRCHILD Small Signal Transistors

获取价格
2N6517CTA_NL FAIRCHILD Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

获取价格
2N6517G ONSEMI High Voltage Transistors

获取价格
2N6517LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 P

获取价格
2N6517RL MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

获取价格

与2N6517C相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证