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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6517CTA_NL
2N6517CTA_NL PDF预览

2N6517CTA_NL

更新时间： 2024-11-18 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N6517CTA_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.06Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2N6517CTA_NL 数据手册

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2N6517  
High Voltage Transistor  
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
=350V  
CEO  
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
C
Complement to 2N6520  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
350  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
350  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
• Refer to 2N6515 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
350  
350  
6
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =1mA, I =0  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
BV  
BV  
I =100µA, I =0  
C E  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=250V, I =0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=5V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
I =1mA, V =10V  
20  
30  
30  
20  
15  
FE  
C
CE  
I =10mA, V =10V  
C
CE  
I =30mA, V =10V  
200  
200  
C
CE  
I =50mA, V =10V  
C
CE  
I =100mA, V =10V  
C
CE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =1mA  
0.3  
0.35  
0.5  
1
V
V
V
V
CE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
I =30mA, I =3mA  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
I =10mA, I =1mA  
0.75  
0.85  
0.9  
V
V
V
BE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
I =30mA, I =3mA  
C
B
C
Output Capacitance  
V
=20V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
f
* Current Gain Bandwidth Product  
I =10mA, V =20V,  
40  
200  
MHz  
T
C
CE  
f=20MHz  
V
(on)  
Base Emitter On Voltage  
I =100mA, V =10V  
2
V
BE  
C
CE  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

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