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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6517G
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2N6517G

更新时间： 2024-01-22 15:04:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
High Voltage Transistors

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2N6517G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.06
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

2N6517G 数据手册

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NPN − 2N6515, 2N6517;  
PNP − 2N6520  
High Voltage Transistors  
NPN and PNP  
Features  
http://onsemi.com  
• Voltage and Current are Negative for PNP Transistors  
• These are Pb−Free Devices*  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
COLLECTOR  
3
NPN  
EMITTER  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Collector − Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
250  
350  
2
BASE  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Base Current  
V
Vdc  
Vdc  
CBO  
PNP  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
250  
350  
1
EMITTER  
V
EBO  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
6.0  
5.0  
I
B
250  
500  
mAdc  
mAdc  
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
Collector Current − Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
D
1
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
1.5  
12  
W
mW/°C  
1
C
2
3
2
3
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
JC  
R
q
83.3  
2N  
65xx  
AYWW G  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
RecommendedOperating Conditions may affect device reliability.  
xx  
A
Y
= 15, 17, or 20  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 5  
2N6515/D  
1234567

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