Datasheet > 2N6517BU

2N6517BU

更新时间： 2024-01-18 01:09:04

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	242K
描述
500 mA High Voltage Bipolar Junction Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6517BU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6517BU 数据手册

2N6517

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

1000

100

1000

= 10 V

= 10 I

100

= 25°C

= 75°C

= 125°C

= 75°C

= 125°C

= 25°C

0.1

100

1000

100

1000

I , Collector Current (mA)

Figure 2. Saturation Voltage

Figure 1. DC Current Gain

100

= 10 I

= 125°C

= 25°C

= 75°C

= 125°C

0.1

= 75°C

0.01

0.001

= 25°C

0.1

100

1000

, Emitter−Base Voltage (V)

I , Collector Current (mA)

Figure 4. Emitter Cut Off Current

Figure 3. Saturation Voltage

10000

1.6

1.4

1.2

1.0

= 10 V

T = 25°C

1000

100

= 125°C

= 75°C

= 25°C

0.8

0.6

0.4

0.1

100

150

200

250

300

350

100

1000

, Collector−Base Voltage (V)

I , Collector Current (mA)

Figure 5. Collector Cut Off Current

Figure 6. Base−Emitter On Voltage

www.onsemi.com

1 234 5 6 7

下载PDF

与2N6517BU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6517BU_NL	FAIRCHILD	暂无描述	获取价格
2N6517C	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N6517CBU	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N6517CTA	FAIRCHILD	FAIRCHILD Small Signal Transistors	获取价格
2N6517CTA_NL	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N6517G	ONSEMI	High Voltage Transistors	获取价格