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2N6517BU

更新时间： 2024-02-03 06:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 242K
描述
500 mA High Voltage Bipolar Junction Transistors

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2N6517BU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHz

2N6517BU 数据手册

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2N6517  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Conditions  
= 100 mA, I = 0  
Min.  
Max.  
Unit  
BV  
BV  
BV  
Collector−Base Breakdown Voltage  
V
CBO  
CEO  
EBO  
2N6517  
I
I
350  
400  
−
−
C
C
E
2N6517C  
= 100 mA, I = 0  
E
Collector−Emitter Breakdown Voltage*  
V
2N6517  
2N6517C  
I
C
I
C
= 1 mA, I = 0  
350  
400  
−
−
B
= 1 mA, I = 0  
B
Emitter−Base Breakdown Voltage  
Collector Cut−Off Current  
Emitter Cut−Off Current  
I = 10 mA, I = 0  
6
−
−
−
V
E
C
I
V
= 250 V, I = 0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
V
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
DC Current Gain*  
2N6517/2N6517C  
2N6517/2N6517C  
2N6517/2N6517C  
2N6517/2N6517C  
2N6517/2N6517C  
2N6517C  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 10 V, I = 1 mA  
20  
30  
30  
20  
15  
50  
−
−
C
= 10 V, I = 10 mA  
C
= 10 V, I = 30 mA  
200  
200  
−
C
= 10 V, I = 50 mA  
C
= 10 V, I = 100 mA  
C
= 10 V, I = 5 mA  
200  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
I
= 10 mA, I = 1 mA  
−
−
−
−
0.3  
0.35  
0.5  
1
V
V
CE  
C
C
C
C
B
= 20 mA, I = 2 mA  
B
= 30 mA, I = 3 mA  
B
= 50 mA, I = 5 mA  
B
Base−Emitter Saturation Voltage  
I
C
I
C
I
C
= 10 mA, I = 1 mA  
−
−
−
0.75  
0.85  
0.9  
BE  
B
= 20 mA, I = 2 mA  
B
= 30 mA, I = 3 mA  
B
C
f
Output Capacitance  
V
= 20 V, I = 0, f = 1 MHz  
−
40  
−
6
200  
2
pF  
MHz  
V
ob  
CB  
E
Current Gain Bandwidth Product*  
Base−Emitter On Voltage  
I
C
I
C
= 10 mA, V = 20 V, f = 20 MHz  
CE  
T
V
(on)  
= 100 mA, V = 10 V,  
CE  
BE  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%  
www.onsemi.com  
2
1234567

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