MPSA43RLRAG

更新时间： 2024-11-03 13:11:47

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管开关高压
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
50mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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MPSA43RLRAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA43RLRAG 数据手册

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by MPSA42/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

*Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

MPSA42 MPSA43

Unit

Vdc

CASE 29–11, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

CEO

CBO

EBO

300

6.0

200

6.0

Vdc

Collector Current — Continuous

500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/mW

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Vdc

(BR)CEO

MPSA42

MPSA43

300

200

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

(BR)CBO

MPSA42

MPSA43

300

200

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

6.0

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

µAdc

CBO

= 200 Vdc, I = 0)

MPSA42

MPSA43

—

0.1

= 160 Vdc, I = 0)

Emitter Cutoff Current

µAdc

EBO

= 6.0 Vdc, I = 0)

MPSA42

MPSA43

—

0.1

= 4.0 Vdc, I = 0)

1. Pulse Test: Pulse Width

300 s, Duty Cycle

2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA43STOA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MPSA43STOB	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MPSA43-STYLE-B	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA43-STYLE-D	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA43-STYLE-G	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA43STZ	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MPSA43T/R	PHILIPS	获取价格	Transistor
MPSA43-T/R	NXP	获取价格	100mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
MPSA43-T92-B	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA43-T92-K	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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