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MPSA44

更新时间： 2024-11-02 22:51:11

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KEC		晶体晶体管高压局域网
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE)

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MPSA44 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MPSA44 数据手册

SEMICONDUCTOR

MPSA44/45

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

ᴌHigh Breakdown Voltage.

ᴌCollector Power Dissipation : P_C=625mW.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

RATING

500

UNIT

0.85

MPSA44

MPSA45

MPSA44

MPSA45

0.45

Collector-Base

14.00 +0.50

Voltage

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

400

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

350

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

ᴱ

300

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

625

TO-92

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

500

400

350

400

6.0

TYP.

MAX. UNIT

MPSA44

MPSA45

MPSA44

MPSA45

Collector-Base

V_(BR)CBO

I_C=100ỌA, I_E=0

Breakdown Voltage

Collector-Emitter

V_(BR)CEO

I_C=1mA, I_B=0

Breakdown Voltage (1)

V_(BR)CES

V_(BR)EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage (2)

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_C=100ỌA, I_B=0

I_E=10ỌA, I_C=0

V_CB=400V, I_E=0

V_CB=320V, I_E=0

V_CE=400V, I_B=0

V_CE=320V, I_B=0

V_EB=4V, I_C=0

MPSA44

100

500

100

I_CBO

Collector Cut off Current

MPSA45

MPSA44

MPSA45

I_CES

I_EBO

Collector Cut off Current

Emitter Cutoff Current

V_CE=10V, I_C=1mA

V_CE=10V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CE=10V, I_C=100mA

I_C=10mA, I_B=1mA

200

h_FE

DC Current Gain

V_CE(sat)

V_BE(sat)

*Pulse Test : Pulse Width⏊300ỌS, Duty Cycle⏊2.0%

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.5

0.75

Base-Emitter Saturation Voltage

1997. 10. 21

Revision No : 2

1/3

12 3

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MPSA44 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPSA44RL1G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistor
MPSA44RLRAG	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistor
MPSA44G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistor

与MPSA44相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA44 MPSA45	UTC	获取价格	NPN
MPSA44(TO-92)	UTC	获取价格	Transistor
MPSA44_06	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistor
MPSA44_11	MCC	获取价格	NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW
MPSA44_12	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA44-18F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
MPSA44-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
MPSA44-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
MPSA44-5F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5F,
MPSA44-5T1	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,

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