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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSA18RLRM
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MPSA18RLRM

更新时间： 2024-11-12 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 281K
描述
200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSA18RLRM 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：160 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

MPSA18RLRM 数据手册

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by MPSA18/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
Vdc  
6.5  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
200  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
(1)  
R
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
83.3  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
45  
45  
6.5  
—
—
—
—
—
—
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
1.0  
nAdc  
CBO  
CB  
E
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
θJA  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA18RLRMG ONSEMI

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 		Low Noise Transistor NPN Silicon
MPSA18RLRP MOTOROLA

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 		200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18RLRP ONSEMI

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 		Low Noise NPN Bipolar Transistor, TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height, 2000-FNFLD
MPSA18RLRP ROCHESTER

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 		200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18RLRPG ONSEMI

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 		200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS-A18T93 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA18TRA CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRB CENTRAL

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 		暂无描述
MPSA18TRC CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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