MPSA18RLRP

更新时间： 2024-09-23 13:11:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	281K
描述
200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSA18RLRP 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	1.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

MPSA18RLRP 数据手册

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by MPSA18/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

EBO

Vdc

6.5

Vdc

Collector Current — Continuous

200

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

(1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

6.5

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 10 mAdc, I = 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 µAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

1.0

nAdc

CBO

1. R

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

θJA

2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4 5 6

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与MPSA18RLRP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA18RLRPG	ONSEMI	获取价格	200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS-A18T93	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA18TRA	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRB	CENTRAL	获取价格	暂无描述
MPSA18TRC	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRD	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRELEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRG	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA18TRH	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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