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MPS6512

更新时间: 2024-09-20 22:46:03
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
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2页 184K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

MPS6512 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.6
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz

MPS6512 数据手册

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