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MMST3906

更新时间: 2024-02-01 18:02:48
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罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
PNP General Purpose Transistor

MMST3906 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

MMST3906 数据手册

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Transistors  
(SPEC-A38)  
609  

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