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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMPQ2907A
MMPQ2907A PDF预览

MMPQ2907A

更新时间： 2024-09-21 22:25:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 144K
描述
SURFACE MOUNT PNP SILICON QUAD TRANSISTOR

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MMPQ2907A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-16针数：16
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.49
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：16最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ2907A 数据手册

 浏览型号MMPQ2907A的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
MMPQ2907A  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON  
QUAD TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MMPQ2907A,  
consisting of four transistors and available in the  
SOIC-16 surface mount package, is designed for  
general purpose amplifier and switching applications.  
SOIC-16 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
V
V
V
60  
60  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
V
mA  
mW  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
1000  
C
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
-55 to +150  
125  
°C  
°C/W  
°C/W  
J stg  
Thermal Resistance (Total Package)  
Thermal Resistance (Each Transistor)  
Θ
Θ
JA  
JA  
240  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V, V =0.5V  
BE  
CEV  
CBO  
CBO  
CE  
CB  
CB  
=50V  
20  
=50V, T =125°C  
20  
A
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
60  
60  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
75  
100  
100  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
CB  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
C
FE  
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
300  
FE  
C
=10V, I =500mA  
FE  
C
f
=20V, I =50mA, f=100MHz  
C
250  
12  
MHz  
pF  
pF  
ns  
T
C
C
=2.0V, f=100kHz  
=10V, f=100kHz  
ib  
6.0  
30  
ob  
t
=30V, I =150mA, I =15mA  
C
on  
B1  
t
=30V, I =150mA, I =15mA  
8.0  
20  
ns  
d
C
B1  
t
=30V, I =150mA, I =15mA  
ns  
r
C
B1  
t
=6.0V, I =150mA, I = I =15mA  
80  
ns  
off  
C
B1 B2  
t
=6.0V, I =150mA, I = I =15mA  
60  
ns  
s
C
B1 B2  
t
=6.0V, I =150mA, I = I =15mA  
20  
ns  
f
C
B1 B2  
R0 ( 7-November 2001)  
12

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