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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMPQ2907A_NL
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MMPQ2907A_NL

更新时间： 2024-09-22 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16

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MMPQ2907A_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOIC-16
针数：16Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.49Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：16最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：80 ns
最大开启时间（吨）：30 nsBase Number Matches：1

MMPQ2907A_NL 数据手册

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PN2907A  
MMBT2907A  
PZT2907A  
C
C
E
E
C
B
TO-92  
C
B
SOT-23  
Mark: 2F  
B
SOT-223  
E
PNP General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as a general purpose amplifier  
and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced  
from Process 63.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
60  
60  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
800  
mA  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
PN2907A  
*MMBT2907A **PZT2907A  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
125  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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