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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MMPQ3467
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MMPQ3467

更新时间： 2024-01-09 01:16:50
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体驱动器晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Quad Memory Driver Transistor

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MMPQ3467 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：CASE 751B-05, SOP-16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.45Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G16元件数量：4
端子数量：16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：190 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ3467 数据手册

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by MMPQ3467/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
1
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
PNP Silicon  
Motorola Preferred Device  
2
3
4
5
6
7
8
16  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
–40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 751B–05, STYLE 4  
SO–16  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
–40  
V
EB  
–5.0  
–1.0  
Collector Current — Continuous  
I
C
Four  
Each  
Transistors  
Transistor  
Equal Power  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.52  
4.2  
1.2  
9.6  
Watts  
mW/°C  
A
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
V
V
–40  
–40  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, I = 0)  
I
–200  
–200  
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1996
1234

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与MMPQ3467相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMPQ3467/D84Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/L86Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/S62Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467D84Z TI

获取价格

 		1000mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467G ONSEMI

获取价格

 		1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
MMPQ3467L86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
MMPQ3467R1 MOTOROLA

获取价格

 		4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 751B-05, SO-16
MMPQ3467R1 ONSEMI

获取价格

 		1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
MMPQ3467R2 MOTOROLA

获取价格

 		4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 751B-05, SO-16
MMPQ3467R2 ONSEMI

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 		1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16

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