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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMPQ3467
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MMPQ3467

更新时间： 2024-09-24 22:25:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
PNP Switching Transistor

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MMPQ3467 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
针数：16Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.86Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SPEED SATURATED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：1.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：16最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：175 MHz最大关闭时间（toff）：90 ns
最大开启时间（吨）：40 nsBase Number Matches：1

MMPQ3467 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
TN3467A  
MMPQ3467  
B
E
B
E
B
E
B
E
C
C
C
C
C
C
TO-226  
C
C
B
C
E
SOIC-16  
PNP Switching Transistor  
This device is designed for high speed saturated switching applications  
at currents to 800 mA. Sourced from Process 70.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
5.0  
1.2  
V
Collector Current - Continuous  
A
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
TN3467A  
MMPQ3467  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
8.0  
50  
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
JA  
125  
240  
Each Die  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMPQ3467/D84Z TI

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 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/L86Z TI

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 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/S62Z TI

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 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467D84Z TI

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 		1000mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467G ONSEMI

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 		1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
MMPQ3467L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
MMPQ3467R1 MOTOROLA

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 		4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 751B-05, SO-16
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