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MMPQ2907R1

更新时间： 2024-09-22 14:43:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
22页 296K
描述
600mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-16

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MMPQ2907R1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.82
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ2907R1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
1
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
2
3
4
5
6
7
8
16  
1
CASE 751B–05, STYLE 4  
SO–16  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol MMPQ2907 MMPQ2907A  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
–40  
–60  
V
–60  
–5.0  
–600  
Vdc  
CB  
V
Vdc  
EB  
Collector Current — Continuous  
I
mAdc  
C
Four  
Each  
Transistors  
Transistor  
Equal Power  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.52  
4.2  
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.8  
6.4  
2.4  
19.2  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
MMPQ2907  
MMPQ2907A  
V
V
V
–40  
–60  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
–60  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
–5.0  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 Vdc, I = 0)  
MMPQ2907  
MMPQ2907A  
—
—
—
—
–50  
–10  
E
= –50 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
—
–50  
nAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
REV 1  
2–432  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMPQ2907R2 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon
MMPQ2907S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
MMPQ3467 MOTOROLA

获取价格

 		Quad Memory Driver Transistor
MMPQ3467 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Switching Transistor
MMPQ3467 ONSEMI

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 		Quad Memory Driver Transistor PNP Silicon
MMPQ3467/D84Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/L86Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467/S62Z TI

获取价格

 		1200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467D84Z TI

获取价格

 		1000mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3467G ONSEMI

获取价格

 		1A, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16

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