MMPQ2907A

更新时间： 2024-02-02 09:20:52

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	65K
描述
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

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MMPQ2907A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOIC-16
针数：	16	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	16	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	80 ns
最大开启时间（吨）：	30 ns	Base Number Matches：	1

MMPQ2907A 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

FMB2907A

FFB2907A

MMPQ2907A

pin #1

SuperSOT -6

SC70-6

Mark: .2F

SOIC-16

Mark: .2F

PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

This device is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring

collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

600

Collector Current - Continuous

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FFB2907A

FMB2907A

MMPQ2907A

P_D

R_θJA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Effective 4 Die

300

2.4

415

700

5.6

180

1,000

8.0

mW/°C

°C/W

125

240

Each Die

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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MMPQ2907A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMPQ2907	FAIRCHILD	类似代替	PNP General Purpose Amplifier
MMPQ2907A	CENTRAL	功能相似	SURFACE MOUNT PNP SILICON QUAD TRANSISTOR

与MMPQ2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMPQ2907A/D84Z	TI	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907A/L86Z	TI	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
MMPQ2907AD84Z	TI	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907AR1	MOTOROLA	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907AR1	ONSEMI	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-16
MMPQ2907AR2	MOTOROLA	获取价格	600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
MMPQ2907ATR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor
MMPQ2907R1	ONSEMI	获取价格	600mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-16

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