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MMFTN3420

更新时间： 2024-11-06 14:54:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3420 数据手册

MMFTN3420

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Source

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Drain Current

V_DSS

V_GS

I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Total Power Dissipation ²⁾

I_DM

t ≤ 10 s

P_tot

1.4

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

125

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 20/05/2022 Rev:05

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