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MMFTN3438K-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3438K-AH 数据手册

MMFTN3438K-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• High speed switch

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Classification Voltage Range(V)

Source

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Load switch appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

± 20

I_D

500

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

1.2

Power Dissipation ²⁾

P_D

℃

500

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limited by T_J(MAX)

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air

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Dated: 28/03/2022 Rev:01

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