Datasheet > MMFTN3434ZK-AH

MMFTN3434ZK-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:31

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	421K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMFTN3434ZK-AH 数据手册

MMFTN3434ZK-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

• Typical ESD Protection HBM Class 2

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

4.2

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

T_j

t ≤ 10 s

1.4

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

125

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

1 / 6

Dated: 10/02/2023 Z Rev:02

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MMFTN3434ZK-AH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMFTN3434ZK-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3438K	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3438K-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3446D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3460D	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3478KW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3540	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN3620B	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN4001KE	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MMFTN4001KW	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體