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MMFTN4501-CH

更新时间： 2024-11-06 14:54:47

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN4501-CH 数据手册

MMFTN4501-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Low voltage gate drive

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Power management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

± 12

Drain Current - Continuous

I_D

3.6

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 30/05/2023 Rev:01

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