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MMFTN3422

更新时间： 2024-11-25 14:55:55

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3422 数据手册

MMFTN3422

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

• LCD TV appliances

• LCDM TV appliances

• High power inverter system

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

V_DS

V_GS

I_D

± 20

2.1

I_DM

t ≤ 10 s

P_D

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

100

150

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 04/03/2022 Rev:02

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