是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 5.88 V | 最小击穿电压: | 5.32 V |
击穿电压标称值: | 5.6 V | 最大钳位电压: | 8 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗: | 1600 Ω |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 24 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 5.6 V |
最大反向电流: | 5 µA | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBZ5V6ALT3 | ONSEMI |
功能相似 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ5V6ALT1_07 | MOTOROLA |
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SOT-23 Dual Monolithic Common Anode Zener Transient Voltage Suppressor For ESD Protection | |
MMBZ5V6ALT116 | ROHM |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, | |
MMBZ5V6ALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ5V6ALT1G | UMW |
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ESD/TVS 管 | |
MMBZ5V6ALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ5V6ALT3G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ5V6ALY | ROHM |
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MMBZ5V6ALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ5V6ALYFH | ROHM |
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MMBZ5V6ALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ5V6A-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ5V6AT-Q | NEXPERIA |
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