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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MMBTA55_05 | KEC | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| MMBTA55_1 | DIODES | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBTA55_11 | MCC | PNP General Purpose Amplifier |
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| MMBTA55_15 | DIODES | PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 |
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| MMBTA55_15 | UTC | PNP MMBTA55 |
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| MMBTA55_2 | DIODES | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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