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MMBTA44L-AE3-R

更新时间： 2024-01-18 06:35:20

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友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
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5页	78K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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MMBTA44L-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA44L-AE3-R 数据手册

MMBTA44/45

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ON voltage

Collector saturation region

0.5

1. 0

Ta=25℃

0.8

0.4

Ic =1mA

V_{BE (sat ) ,}Ic/I_B=10

Ic=10mA

Ic=50mA

0.3

0.6

V_BE_(ON), V =10V

0.2

0.1

0.4

0. 2

V_{CE(sat )},Ic/I =10

Ta=25℃

10³

10¹

10³

10⁴

10⁵

10⁰

10²

( mA)

Collector Current, I_C

Base Current, I_B(μA)

TYPICAL CHARACTERISTICS(cont.)

ꢀ

High frequency

Safe operating area

current gain

10²

10¹

10⁴

Valid Duty

Cycle<10%

V_CE=10V

f=10MHz

Ta=25℃

1ms

10³

10²

10¹

10⁰

0.1ms

℃

10⁰

MPSA44

10¹10²

Collector voltage (V)

10^-1

10⁰

10²

( mA)

10^-1

10³

10⁰

10³

10⁴

Collector current, I_C

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

QW-R206-007.B

1 2 345

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与MMBTA44L-AE3-R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBTA44LT1	HC	SOT-23	获取价格
MMBTA44N	FOSHAN	SOT-223	获取价格
MMBTA44T	FOSHAN	SOT-89	获取价格
MMBTA44-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C	获取价格
MMBTA44-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE	获取价格
MMBTA45	UTC	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格