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MMBTA44L-AE3-R

更新时间： 2024-02-20 00:14:11

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友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
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5页	78K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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MMBTA44L-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA44L-AE3-R 数据手册

MMBTA44/45

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ꢀ

PARAMETER

MMBTA44

SYMBOL

V_CBO

RATINGS

500

UNIT

Collector-Base Voltage

MMBTA45

MMBTA44

MMBTA45

400

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

350

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

300

Ta=25°C

Tc=25°C

350

Power Dissipation

P_D

1.5

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

+150

-40 ~ +150

°C

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ꢀ

(T_j=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown

Voltage

MMBTA44

MMBTA45

500

400

350

BV_CBO

Ic=100µA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown MMBTA44

Voltage

BV_CEO

BV_EBO

Ic=1mA, I_B=0

MMBTA45

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_E=100µA, Ic=0

Ic=1mA, I_B=0.1mA

Ic=10mA, I_B=1mA

Ic=50mA, I_B=5mA

Ic=10mA, I_B=1mA

V_CB=400V, I_E=0

0.4

V_CE(sat)

0.5

0.75

0.1

V_BE(sat)

I_CBO

MMBTA44

Collector Cut-off Current

µA

MMBTA45

MMBTA44

MMBTA45

_CB=320V, I_E=0

V_CE=400V, I_B=0

_CE=320V, I_B=0

0.1

0.5

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

I_CES

I_EBO

µA

0.5

V_EB=4V, Ic=0

0.1

V_CE=10V, Ic=1mA

V_CE=10V, Ic=10mA

V_CE=10V, Ic=50mA

V_CE=10V, Ic=100mA

V_CE=20V, Ic=10mA

240

DC Current Gain(Note)

h_FE

Current Gain Bandwidth Product

f_T

MHz

f=100MHz

Output Capacitance

C_ob

V_CB=20V, I_E=0, f=1MHz

Note: Pulse test: P_W<300µs, Duty Cycle<2%

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

QW-R206-007.B

123 4 5

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与MMBTA44L-AE3-R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBTA44LT1	HC	SOT-23	获取价格
MMBTA44N	FOSHAN	SOT-223	获取价格
MMBTA44T	FOSHAN	SOT-89	获取价格
MMBTA44-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C	获取价格
MMBTA44-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE	获取价格
MMBTA45	UTC	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格