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MMBT918

更新时间： 2024-11-06 10:52:27

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	134K
描述
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR

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MMBT918 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	600 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT918 数据手册

MMBT918

VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR

225 mWatts

15 Volts

POWER

VOLTAGE

FEATURES

• NPN silicon

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: SOT-23, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.008 gram

• Marking: R1B

ABSOLUTE RATINGS

PARAMETER

Symbol

Value

Units

Collector - Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

3.0

Collector Current - Continuous

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

P_D

Value

Units

Total Device Dissipation (Note1)T_A=25^OC

Derate above 25^OC

225

1.8

mW/^OC

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

556

^OC/W

^OC

T_J,T_{S TG}

-55 to 150

Note 1: FR.4 = 70 x 60 x 1mm.

STAD-JUL.26.2006

PAGE . 1

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