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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBT918LT1
MMBT918LT1 PDF预览

MMBT918LT1

更新时间： 2024-11-05 22:24:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
VHF/UHF Transistor

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MMBT918LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

MMBT918LT1 数据手册

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by MMBT918LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
3
2
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
15  
30  
3.0  
50  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
Vdc  
CBO  
EBO  
Emitter–Base Voltage  
V
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT918LT1 = M3B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
15  
30  
3.0  
—
—
—
—
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 3.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
CBO  
CB  
E
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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