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MMBT4401

更新时间： 2024-02-27 09:34:50

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	1092K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBT4401 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT4401 数据手册

MMBT4401

TRANSISTOR(NPN)

SOT-23

FEATURES

Switching transistor

1. BASE

MARKING: MMBT4401=2X

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power dissipation

Junction Temperature

600

P_C

0.3

T_j

150

℃

Storage Temperature

T_stg

-55to +150

357

℃

℃/mW

Thermal Resistance, junction to Ambient

R_Ө

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C= 100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C= 1mA, I_B=0

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= 100μA, I_C=0

V_CB=50 V, I_E=0

V_CE=30 V, I_B=0

0.1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE

V_EB=5V, I_C=0

0.1

300

0.4

DC current gain

V_CE=1V, I_C=150mA

I_C=150mA, I_B=15mA

100

250

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_BE(sat)

I_C= 150mA, I_B=15mA

0.95

V_CE= 10V, I_C= 20mA

f = 100MHz

MHz

f_T

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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