Datasheet > MMBT3904LT1

MMBT3904LT1

更新时间： 2024-02-07 17:24:59

品牌	Logo	应用领域
威伦 - WILLAS		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	660K
描述
General Purpose Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT3904LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.02
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT3904LT1 数据手册

WILLAS

General Purpose Transistor

RoHS product for packing code suffix "G",

•

Halogen free product for packing code suffix "H"

M MBT3904LT1

•

Weight : 0.008g

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

1AM

3000/Tape & Reel

M MBT3904LT1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

SOT–23

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Vdc

COLLECTOR

6.0

Vdc

Collector Current — Continuous

200

mAdc

BASE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

EMITTER

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

–55 to +150

T_J, T_stg

°C

DEVICE MARKING

M MBT3904LT1 = 1AM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

(I _C= 1.0 mAdc)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _BL

6.0

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 10 µAdc)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc)

Vdc

Base Cutoff Current

nAdc

( V _CE= 30 Vdc, V _EB= 3.0 Vdc, )

Collector Cutoff Current

I _CEX

—

( V _CE= 30Vdc, V _BE= 3.0Vdc )

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs, Duty Cycle <2.0%.

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与MMBT3904LT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT3904LT1_15	WINNERJOIN	SOT-23 TRANSISTOR	获取价格
MMBT3904LT1G	ONSEMI	General Purpose Transistor (NPN Silicon)	获取价格
MMBT3904LT1HTSA1	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO	获取价格
MMBT3904LT1-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC	获取价格
MMBT3904LT3	ONSEMI	General Purpose Transistor (NPN Silicon)	获取价格
MMBT3904LT3G	ONSEMI	General Purpose Transistor (NPN Silicon)	获取价格