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MMBT2369LT1

更新时间: 2024-01-05 22:40:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 146K
描述
Switcing Transistors

MMBT2369LT1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.09Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.225 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):500 MHz最大关闭时间(toff):18 ns
最大开启时间(吨):12 nsBase Number Matches:1

MMBT2369LT1 数据手册

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MMBT2369LT1,  
MMBT2369ALT1  
MMBT2369ALT1 is a Preferred Device  
Switching Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
15  
Unit  
Vdc  
COLLECTOR  
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CEO  
V
40  
Vdc  
CES  
CBO  
EBO  
V
V
40  
Vdc  
1
BASE  
Emitter–Base Voltage  
4.5  
200  
Vdc  
Collector Current – Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
2
EMITTER  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
(Note 1) T = 25°C  
3
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
1
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
556  
q
JA  
2
Total Device Dissipation Alumina  
P
300  
mW  
SOT–23  
CASE 318  
STYLE 6  
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
417  
q
JA  
MARKING DIAGRAMS  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR–5 = 1.0 0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
M1J X  
1JA X  
MMBT2369LT1  
MMBT2369ALT1  
M1J, 1JA = Specific Device Code  
= Date Code  
X
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MMBT2369LT1  
MMBT2369ALT1  
SOT–23 3000/Tape & Reel  
SOT–23 3000/Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
May, 2002 – Rev. 3  
MMBT2369LT1/D  

MMBT2369LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Switching Transistors NPN Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
MMBT2369LT1G_09 ONSEMI

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Switching Transistors
MMBT2369LT3 ONSEMI

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TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08,
MMBT2369LT3 MOTOROLA

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200mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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NPN 双极晶体管
MMBT2369W SWST

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小信号晶体管
MMBT2484 NSC

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TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23
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NPN 通用放大器