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MMBT2484LT1

更新时间： 2024-01-04 20:07:40

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	207K
描述
Low Noise Transistor(NPN Silicon)

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MMBT2484LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	250	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MMBT2484LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Low Noise Transistor

NPN Silicon

MMBT2484LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

6.0

Vdc

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBT2484LT1 = 1U

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 10 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _CBO

—

Vdc

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 10 µAdc, I _E= 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

5.0

Collector Cutoff Current( V _CB= 45Vdc, I _E= 0)

( V _CB= 45Vdc, I _E= 0, T _A=150 °C)

Emitter Cutoff Current

—

nAdc

µAdc

nAdc

I _EBO

( V _EB=5.0 Vdc, I _C= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

O7–1/4

12 3 4

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MMBT2484LT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT2484LT3G	ONSEMI	功能相似	NPN Bipolar Transistor
MMBT2484LT1G	ONSEMI	功能相似	Low Noise Transistor
MMBT2484	FAIRCHILD	功能相似	NPN General Purpose Amplifier

与MMBT2484LT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT2484LT1G	ONSEMI	获取价格	Low Noise Transistor
MMBT2484LT3	MOTOROLA	获取价格	50mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT2484LT3G	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
MMBT2484S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT28S	SEMTECH	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBT28S	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT2906	TI	获取价格	MMBT2906
MMBT2907	SAMSUNG	获取价格	PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT2907	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT2907	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors